TRANZYSTOR IGBT HGTG30N60B3D 600V 60A 208W TO247
TRANZYSTOR IGBT HGTG30N60B3D 600V 60A 208W TO247
Producent - ONSEMI
Typ tranzystora - IGBT
Napięcie kolektor-emiter - 600V
Prąd kolektora - 30A
Moc rozpraszana - 208W
Obudowa - TO247-3
Napięcie bramka - emiter - ±20V
Prąd kolektora w impulsie - 220A
Montaż - THT
Ładunek bramki - 250nC
Właściwości elementów półprzewodnikowych integrated anti-parallel diode
CE-HGTG30N60B3
15
- Usuń ten produkt z moich ulubionych.
- Dodaj ten produkt do moich ulubionych
Opis
TRANZYSTOR IGBT HGTG30N60B3D 600V 60A 208W TO247
Producent - ONSEMI
Typ tranzystora - IGBT
Napięcie kolektor-emiter - 600V
Prąd kolektora - 30A
Moc rozpraszana - 208W
Obudowa - TO247-3
Napięcie bramka - emiter - ±20V
Prąd kolektora w impulsie - 220A
Montaż - THT
Ładunek bramki - 250nC
Właściwości elementów półprzewodnikowych integrated anti-parallel diode
Opinie
Na razie nie dodano żadnej recenzji.
