Szukaj
TRANZYSTOR IGBT FGA6560WDF 650V, 120A, 306W, TO3PN Producent - ONSEMI Typ tranzystora - IGBT Napięcie kolektor-emiter - 650V Prąd kolektora - 120A Moc rozpraszana - 306W Obudowa - TO3PN Napięcie bramka - emiter - ±20V Prąd kolektora w impulsie - 180A Montaż - THT Ładunek bramki - 84nC
TRANZYSTOR IGBT HGTG30N60B3D 600V 60A 208W TO247 Producent - ONSEMI Typ tranzystora - IGBT Napięcie kolektor-emiter - 600V Prąd kolektora - 30A Moc rozpraszana - 208W Obudowa - TO247-3 Napięcie bramka - emiter - ±20V Prąd kolektora w impulsie - 220A Montaż - THT Ładunek bramki - 250nC Właściwości elementów półprzewodnikowych integrated anti-parallel diode